• Счётчики

    • 220,580 кликов
  • Рубрики

  • TOP-вые записи

  • Топ кликов

    • Нет
  • RSS faqALL

    • Произошла ошибка; возможно, лента недоступна. Повторите попытку позже.

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит


Toshiba Corp. представила многослойную флэш-память с двумя битами на ячейку типа P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable). Компанией был создан прототип 32-Гбит чипа, состоящий из 16 слоев ячеек памяти, изготовленных по 60-нм техпроцессу, который соответствует их матричной технологии производства. Он имеет размеры 10,11 х 15,52 мм с эффективной площадью ячейки на каждый бит 0,00082 мкм2, что меньше, чем у 32-нм флэш-памяти, запускаемой в производство в 2009 году.

P-BiCS является улучшенной версией BiCS, трехмерная многослойная структура модуля флэш-памяти разрабатывалась Toshiba с 2007 года. BiCS использует технологию стеков ячеек памяти в многоуровневой структуре, чередующей укладку управляющего электрода в виде пленки и промежуточного диэлектрика, а в отверстие, проходящее через все эти слои, помещается поликристаллический кремниевый канал. При этом компания изменила форму NAND-цепочек для обеспечения многоуровневого процесса и его контроля на уровне массива. В BiCS ячейки соединены в прямолинейную NAND-цепочку, а для P-BiCS была выбрана U-образная форма. Кроме того, существуют два наиболее значимых достижения в их структуре.

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит

Первое, поскольку качество туннельно-изолирующей пленки повышено, была улучшена способность к хранению данных, реализуя многоуровневый процесс. Качество туннельно-изолирующей пленки улучшилось за счет того, что отпала необходимость ее удаления с нижней стороны сквозного отверстия. В BiCS туннельно-изолирующая пленка, формируемая на стороне сквозного отверстия, повреждается во время этого процесса, часто ухудшая запоминающие свойства. Toshiba представила метод снижения вероятности повреждения путем смены материала туннельно-изолирующей пленки с оксида кремния на нитрид кремния. Однако пока компания не может гарантировать достаточных запоминающих свойств при использовании нитрида кремния, заявляют ее представители.

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит

Второе, поскольку свойства селекторного транзистора и линейного источника, используемых для чтения и записи данных, улучшены, рабочая характеристика на уровне массива стала более жесткой. В BiCS, которая имеет прямолинейную форму цепочки, селекторный транзистор и линейный источник расположены на нижней части цепочки. С другой стороны, в P-BiCS, чьи цепочки имеют U-образную форму, они могут быть сосредоточены в конце цепочки. Поэтому, когда цепочка формируется, температура порядка 1 тыс. °С не прикладывается к селекторному транзистору или линейному источнику. В результате запирающие свойства селекторного транзистора улучшаются, уменьшая число ошибок чтения.

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит

В виду того, что металлические материалы могут применяться для линейного источника, скорость записи может быть выше, чем у BiCS. BiCS использует диффузионный слой, который стремится к высокому сопротивлению, как линейный источник. Когда сопротивление линейного источника высоко, колебание порогового напряжения становится значительным в этом массиве, что понижает скорость записи. Группа разработчиков P-BiCS намеревается организовать технологию серийного производства для многослойного модуля флэш-памяти в течение двух-трех лет в качестве меры по высокой интеграции флэш-модуля без использования микрообработки. И P-BiCS выглядит одним из главных кандидатов для осуществления этой цели.

«Для дальнейшего снижения издержек требуется еще один прорыв, а именно, в методе укладки слоев», — говорит Хидеаки Аочи (Hideaki Aochi), ведущий специалист Отделения технологий передовых запоминающих устройств (Advanced Memory Device Technology Dept) и Центра исследований и разработки полупроводников (Center for Semiconductor Research & Development) Toshiba Corp. Например, сейчас отверстие может проходить одновременно через 8 уровней. А 16 уровней реализуются совмещением двух восьмислойных модулей. В будущем Toshiba планирует создать методику получения сразу 16 уровней и более.

Реклама

комментариев 28

  1. I think, that you are not right. Let’s discuss it.

  2. I think, that you are not right. I am assured. Let’s discuss. Write to me in PM.

  3. Большое спасибо за информацию, теперь я не допущу такой ошибки.

  4. I am sorry, that I interrupt you, I too would like to express the opinion.

  5. Уверяю вас.

  6. Сегодня я специально зарегистрировался на форуме, чтобы поучаствовать в обсуждении этого вопроса.

  7. В этом что-то есть и это отличная идея. Я Вас поддерживаю.

  8. Не согласен

  9. I confirm. I join told all above. We can communicate on this theme. Here or in PM.

  10. In it something is. Thanks for the help in this question how I can thank you?

  11. По моему мнению Вы не правы. Я уверен. Могу это доказать. Пишите мне в PM, поговорим.

  12. Извините, что не могу сейчас поучаствовать в дискуссии — очень занят. Но освобожусь — обязательно напишу что я думаю по этому вопросу.

  13. Completely I share your opinion. Idea good, I support.

  14. This rather valuable message

  15. Между нами говоря, попробуйте поискать ответ на Ваш вопрос в google.com

  16. Подскажите, где я могу найти больше информации по этому вопросу?

  17. Thanks for the valuable information. It very much was useful to me.

  18. I with you agree. In it something is. Now all became clear, I thank for the help in this question.

  19. Sie lassen den Fehler zu. Geben Sie wir werden besprechen. Schreiben Sie mir in PM, wir werden umgehen.

  20. Пропущено несколько запятых, но на интересность сообщения это никак не повлияло

  21. Спасибо за частые обновления на блоге!!

  22. По поводу поста – согласен, щас без простыни текста трудно выбиться в топ, но думаю это актуально не только для морд, но и для внутряка.

  23. Авось да небось такая подпора, хоть брось.

  24. Все очень хорошо, но вот у любого блога систематическая проблема с трансляцией rss! Нужно и с коментами получать. Но нет. Это как говорится решаемо?

Добавить комментарий

Заполните поля или щелкните по значку, чтобы оставить свой комментарий:

Логотип WordPress.com

Для комментария используется ваша учётная запись WordPress.com. Выход / Изменить )

Фотография Twitter

Для комментария используется ваша учётная запись Twitter. Выход / Изменить )

Фотография Facebook

Для комментария используется ваша учётная запись Facebook. Выход / Изменить )

Google+ photo

Для комментария используется ваша учётная запись Google+. Выход / Изменить )

Connecting to %s

%d такие блоггеры, как: